《非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析》PDF+DOC
作者:柴秀丽,曾德长,刘桂雄,余红雅,钟喜春,刘文洁
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2008年第09期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2008090210
DOC编号:DOCCGQJ2008090219
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利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性。研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线性工作区间,对垂直磁场不响应;纳米晶带材GMI磁传感器的灵敏度高达0.6691 V/Oe,优于非晶带材制备器件的灵敏度0.1483 V/Oe。
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