作者：耿青涛,孙以材,王云彩 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2008年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2008010040 DOC编号：DOCCGSJ2008010049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法，论述了其较一般高温压力传感器的优点及其制造工艺流程。重点利用ANSYS软件对模型进行了热模拟，比较了AlN，SiO2与Al2O3分别作为绝缘散热层时模型中的温度分布，并且比较了散热层不同厚度时力敏电阻中心点的温度。

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