作者：高编 单位：中国科学院上海技术物理研究所 出版：《红外》2008年第07期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWAI2008070060 DOC编号：DOCHWAI2008070069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 美国专利US7361528 (2008年4月22日授权)锗具有较高的红外吸收系数，不过，当通过将锗直接沉积在硅上的办法制作锗光电探测器时，由于锗与硅的晶格失配率为4%，光电探测器会具有较大的暗电流.为了解决这个问题，最近几年人们做了大量工作.本发明提供一种用以制作供CMOS成像仪用的锗红外传感器的方法，该方法包括以下几个步骤：对一块硅片进行离子注入，形成一层P~+硅层；在该P~+硅层

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