作者：王云彩,孙以材,陈杰,耿青涛 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2008年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2008010030 DOC编号：DOCCGSJ2008010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法，采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层，由于无p-n结，力敏电阻无反向漏电，使制作的压力传感器特性好。利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性，考虑其纵横向压阻效应的不同，作了理论分析，在此基础上制作力敏电阻条。利用有限元分析方法，借助MARC软件，模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布，确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式。并且施加10kPa压力时，模拟了不同膜厚t与对应的最大应力σ11的曲线；模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力PN与膜厚t的关系曲线。

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