作者：仝召民,薛晨阳,张斌珍,刘俊,乔慧,郭慧芳 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2008年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2008010070 DOC编号：DOCGNCQ2008010079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本工作设计了一种基于AlAs/InGaAs/GaAs量子隧穿效应的纳机电拍子式声传感器，并采用ANSYS有限元分析软件对敏感元件的布置位置进行了最优化仿真设计。在加工工艺上，采用双空气桥技术和Au/Ge/Ni合金膜系欧姆接触技术有效降低了电容、电阻等对器件结构性能的影响；在传感器的具体加工过程中，共振隧穿结构(RTS)和拍子结构是通过控制孔技术一次流片完成的。对所加工的传感器进行了初步测试，结果表明，传感器频响能较好的与仿真结果相吻合，1.3KHz时同时具有较好的线性特性。

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