作者：文尉任,王凌云,孙道恒 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2008年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2008010550 DOC编号：DOCGNCQ2008010559 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 场发射真空传感器是采用MEMS加工工艺研制一种新型的基于硅尖阵列场发射原理的微型真空传感器。通过理论分析，确立了该种传感器中硅尖场发射电流与真空度的关系。并利用干法刻蚀工艺，在硅片上制作了高3.2μm，曲率半径小于70nm的200&#215；42硅尖阵列。保持阳极与硅尖距离为1μm的情况下，可以观察到阳极电压为10V左右时开始有明显的场发射电流。实验结果表明，在10V-15V的输入电压范围内，通过测试场发射电流所得到的真空度值，其最大误差不超过10%。该真空传感器具有制作简单、易于集成、信号测量容易、自身不带密封腔等优点，具有潜在的应用前景和市场潜力。

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