作者：张艳红,刘理天,张兆华,林惠旺 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2008年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2008020240 DOC编号：DOCCGJS2008020249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求，力敏传感器再次成为研究的热点。压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选。研究表明，在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化，具有类似压敏电阻的力敏效应。基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器。该器件在与传统的压阻式力敏传感器相比，一方面继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点，另一方面大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗，使得器件性能得到整体提高。

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