《纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性》PDF+DOC
作者:赵晓锋,温殿忠
单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会
出版:《Journal of Semiconductors》2008年第10期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTX2008100370
DOC编号:DOCBDTX2008100379
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给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明,当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃。
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