作者：李淑英,张纳,翁玲,赵文明,衣余法,王博文 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2008年第04期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2008040030 DOC编号：DOCYBJS2008040039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状复合磁电传感器磁电效应》PDF+DOC2010年第05期 李淑英,王博文,周严,翁玲,张纳,赵文明 《基于阻抗原理的磁弹性传感器测试仪设计》PDF+DOC2013年第12期 李黎明,黄忠全,郑小林 《基于功能梯度磁电复合材料的新型自偏置磁传感器》PDF+DOC2016年第02期 陈蕾 《静态磁场谐振磁传感器设计》PDF+DOC2020年第01期 李铭,卞雷祥,夏诗明,吴一凡 《磁电异质结及器件应用》PDF+DOC 杨娜娜,陈轩,汪尧进 《DP传感器研究及桥梁自振特性测试》PDF+DOC1997年第02期 杨学志,严普强,张锻,周佳,邓蓉 《采用FeGa/PZT复合磁电材料的差分电流传感器U型标签》PDF+DOC2020年第10期 孙倩,卞雷祥,彭伟民,李佳阳,裴文鹏 《基于磁场传感器的磁电层状复合材料逆磁电效应研究》PDF+DOC2011年第05期 张纳,黄文美,李淑英,翁玲 《磁致伸缩非晶合金双层结构传感器研究进展》PDF+DOC2009年第06期 甘志华,柴秀丽,申石磊 《大位移磁致伸缩传感器的弹性波建模与分析》PDF+DOC2013年第02期 代前国,周新志

    • 采用树脂黏结法制备了Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状磁电复合传感器，测量了传感器中Terfenol-D层的静态磁致伸缩性能和传感器的磁电电压性能，研究了直流偏置电流和交流驱动电流对复合传感器磁电性能的影响。结果表明：直流偏置电流对磁电复合传感器磁电电压峰-峰值V(p-p)的影响较大，磁电电压峰-峰值V(p-p)随直流偏置电流的变化规律与Terfenol-D层的磁致伸缩λ对偏置电流的变化率随偏置电流的变化规律相似；交流驱动电流对磁电复合传感器磁电电压峰-峰值V(p-p)的影响也较为明显。

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