作者：门洪,靳继勇,王伟广,穆胜伟,王平 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2008年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2008010070 DOC编号：DOCCGJS2008010079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以铜离子选择电极为靶材，采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器。该传感器的线性区间为10-4~10-6mol/L，标准曲线的斜率为71nA/decade，检出限为3.0&#215；10-7mol/L，适宜pH范围4~6，响应时间不超过2min，在12周内该薄膜传感器显示了良好的稳定性和重复性。该薄膜传感器采用交流红外调制光源激发，以外电路中电流幅值变化量为铜离子浓度测量依据，基于电流量来表征薄膜传感器线性区斜率，该薄膜传感器的检出限比对应的铜离子选择电压型电极低，灵敏度提高了2.45倍。

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