《巨磁阻抗磁传感器的研究进展》PDF+DOC
作者:蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2008年第05期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2008050000
DOC编号:DOCYBJS2008050009
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基于巨磁阻抗效应(GMI)的磁传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一。采用非晶或纳米晶材料可以制备丝、薄带、薄膜和多层膜等不同的形态,利用它们的GMI效应制成GMI磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗。叙述了巨磁阻抗磁传感器的研究进展,分别以非晶丝和多层膜为敏感元件的GMI磁传感器为例,着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍,并指出了GMI磁传感器目前存在的问题及将来的发展趋势。
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