作者：丁雷,王乐,滕蛟,于广华 单位：中国有色金属学会;有研科技集团有限公司 出版：《稀有金属》2009年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZXJS2009010090 DOC编号：DOCZXJS2009010099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜，将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面，研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响。结果表明：由于Al2O3层的“镜面反射”作用，适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值，当NiFe薄膜厚度为5 nm时，通过在界面处插入约2nm的Al2O3层，薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%，增加幅度超过20%。性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的“镜面反射”作用外，抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素。

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