作者：曾其勇,郑晓峰 单位：中国机械工业集团公司;沈阳真空技术研究所 出版：《真空》2009年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKZK2009040200 DOC编号：DOCZKZK2009040209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在导电基体上制作薄膜传感器的过程中，需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜。二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能，并且稳定性好，膜层牢固，长期使用温度可达1000℃以上，应用十分广泛。通常制备SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶-溶胶法等。本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合，并对这些方法做了比较。

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