《烧结温度对SrTiO_3厚膜氧敏元件的影响研究》PDF+DOC
作者:郭明光,曹全喜,田森,周媛
单位:西安电子科技大学
出版:《电子科技》2009年第11期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZKK2009110220
DOC编号:DOCDZKK2009110229
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以固相合成法,在1200℃,1250℃,1275℃这3个烧结温度下,制备了SrTiO3厚膜氧敏元件。通过在600~850℃温度范围内分别测试样品,在大气气氛及N2气氛下的电阻,比较分析了不同烧结温度下样品的灵敏度及阻温特性,表明最佳烧结温度应在1250℃,且较高烧结温度有利于样品电阻的降低和阻温特性的改善。XRD分析和SEM分析表明,不同烧结温度均制备了物相纯净且表面结构疏松的样品。
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