作者：郑新 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2009年第09期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2009090040 DOC编号：DOCBDTJ2009090049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟，S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速，S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品。但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求，半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多，Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高，而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性，决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率，并可更好地满足现代雷达的要求。

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