作者:吉吾尔·吉里力,拜山·沙德克 单位:重庆西南信息有限公司 出版:《材料导报》2009年第S1期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCLDB2009S11060 DOC编号:DOCCLDB2009S11069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点,在磁随机存取存储器(MRAM)、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎,有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理,阐述了最近几年国内外最新研究进展,最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。

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