作者：赵小宁,李秀清 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2009年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2009070020 DOC编号：DOCBDTJ2009070029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • SiC和GaN等宽带隙半导体以其固有的高频、大功率、高温和抗恶劣环境应用潜力，在替代传统的Si和GaAs等器件应用于军事及宇航系统装备方面具有无可比拟的技术优势。概述了以SiC、GaN和金刚石等为代表的第三代半导体器件技术的发展现状，介绍了国外发达国家在发展宽带隙半导体技术上值得借鉴的一些做法，着重讨论宽带隙半导体技术对宇航及军事装备产生的重要影响，并展望了宽带隙半导体技术在宇航及军事应用中的发展前景。

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