《多晶硅薄膜材料与器件研究进展》PDF+DOC

📙 相关资料

1. 《多晶硅薄膜的结构与电学特性关系的研究》PDF+DOC 多晶硅薄膜的性质与膜的结构有密切关系.界面结构主要指晶粒尺寸、择优取向及其结构，多晶硅薄膜的结构主要由沉积条件、膜厚、掺杂条件和后来的退火温度和退火时间所决定.本文讨论了用常规低压化学汽相淀积(LPCVD)方法制备的多晶硅薄膜的结构特性，初步获得了提高多晶硅压力传感器灵敏度及其温度稳定性的条件。...
2. 《多晶硅薄膜压阻器件》PDF+DOC 利用半导体压阻效应的压力传感器，由于信息处理技术的进步，正面向高精度、高灵敏、高可靠、低成本发展。其主流是用单晶硅制造的扩散型压力传感器。但最近，使用不同的材料作衬底，通过SiO_2等做绝缘，在其上沉积多晶硅薄膜的SOI结构的压力传感器由于可望制低成本耐高温及抗腐蚀性强的压力传感器...
3. 《突破电能与感应的九项新技术》PDF+DOC 电能的供应和感应器件的柔性化一直是困扰智能服饰应用的两大瓶颈近年来，智能服饰成为行业关注的焦点，与此相关的科学技术也不断取得新的突破，新的产品跟着陆续涌现。前段时间，国内发布了首款心电监测智能服饰。这款智能服饰不仅能对人体的生理信号进行采集，而且还能满足日常的使用，能够进行机洗，实现了真正意义的上实......
4. 《不同衬底上层状MoS_2薄膜制备及应用的研究进展》PDF+DOC 二维层状MoS_2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能，是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一。在不同衬底上制备的MoS_2薄膜性质有所差异，其构成的异质结性能也各具特色。首先，介绍了常用于制备层状MoS_2薄膜的化学气相沉积(CVD)法和高......
5. 《图像传感器及其形成方法》PDF+DOC 申请号：201811178557.9【公开号】CN109300927A【公开日】2019.02.01【申请日】2018.10.10【申请人】德淮半导体有限公司【发明人】周艮梅；金子貴昭；黄晓橹【摘要】一种图像传感器及其形成方法。图像传感器包括：半导体衬底；多个像素器件，位于半导体衬底内；多个具有不同......
6. 《多晶硅敏感技术(连载六)》PDF+DOC 6.4.2金属衬底的多晶硅压力传感器 单晶硅弹性膜片在直接与被测介质接触时抗冲击性差、不利于测量有腐蚀性介质的压力，且大面积单晶硅弹性膜片的成本也大。因此在特定场合用金属薄板作弹性膜片更为有利。...
7. 《扩展电阻温度传感器的参数优化》PDF+DOC 对扩展电阻温度 (SRT)传感器的阻温特性 (R -T)进行了研究。实验结果表明 ，器件的结构尺寸、衬底的掺杂浓度大大地影响着器件的最高工作温度 (Tmax) ，而工艺条件的影响很小。适当小的n+ 圆形半径和适当高的衬底掺杂可使SRT传感器的正温度系数 (PTC)工作区在 2mA的正向偏置电流下拓宽......
8. 《化学气相沉积法制备钙钛矿-石墨烯薄膜及其柔性图像传感器（英文）》PDF+DOC 有机-无机杂化钙钛矿具有优异的光电性能，如大的光吸收系数、高载流子迁移率等，是理想的光电器件用光吸收材料.然而，杂化钙钛矿薄膜光电器件的性能受多方面因素的影响，例如致密程度、晶界等，同时其内部光激发电子-空穴对的复合也会降低器件的光电流和光响应度.本文以化学气相沉积法生长的高质量石墨烯薄膜为模板，通......
9. 《碳纳米管在气敏传感器中的应用及其发展趋势》PDF+DOC 碳纳米管具有较大的比表面积，对气体有良好的吸附能力，在气敏传感器中有巨大的应用潜力。文章从碳纳米管的结构对其进行分类，重点对碳纳米管在气敏传感器中的应用进行了评述，并对碳纳米管在不同衬底上制备的气敏传感器进行描述，总结了碳纳米管气敏传感器的发展现状，最后概况了碳纳米管气敏传感器的发展趋势。...
10. 《多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展》PDF+DOC 多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低，效率稳定性好、光电转换效率高，多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造，其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法，结......