作者：崔虹云,张海丰,吴云飞 单位：佳木斯大学 出版：《佳木斯大学学报(自然科学版)》2009年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJMDB2009050210 DOC编号：DOCJMDB2009050219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜，并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品，在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明，退火使欧姆接触的电阻率降低，接触电阻率可达到2.41&#215；10-3Ω.cm2。

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