作者:陆学斌,刘晓为,揣荣岩,施长治 单位:中国微米纳米技术学会;天津大学 出版:《Nanotechnology and Precision Engineering》2009年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFNMJM2009010020 DOC编号:DOCNMJM2009010029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性》PDF+DOC2020年第07期 陆学斌,于斌 《膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响》PDF+DOC2007年第11期 刘晓为,潘慧艳,揣荣岩,王喜莲,李金锋 《多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展》PDF+DOC2014年第02期 李海博,尹延昭,郑丽 《多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器》PDF+DOC2009年第09期 王健,揣荣岩,何晓宇,刘伟,张大为 《复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析》PDF+DOC2009年第S1期 揣荣岩,张大为,孙显龙,刘斌,李新 《多晶硅应变因子计算研究》PDF+DOC 王健,江健,穆罕默德 《BTG浓度传感器与常用浓度传感器的分析与比较》PDF+DOC2016年第04期 刘桂德 《多晶硅敏感技术(连载四)》PDF+DOC1994年第04期 王善慈 《掺杂浓度对多晶硅电阻温度系数的影响》PDF+DOC1990年第06期 石争,毛赣如 《硅压力传感器的非线性分析及优化设计》PDF+DOC2003年第01期 沈桂芬,付世,丁德宏,姚朋军,张宏庆,范军,吕品
  • 利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,并对样品的压阻特性进行了测试.采用最小二乘法对实验数据进行拟合,得到了应变系数及其线性度与掺杂浓度的关系.实验结果表明:掺杂浓度从8.1×1018cm-3变化至7.1×1020cm-3,多晶硅纳米薄膜的纵向和横向应变系数先增加再减小,最后基本不再随掺杂浓度而变化,且纵向应变系数大于横向应变系数;掺杂浓度低于4.1×1019cm-3时,应变系数的非线性较大,且随掺杂浓度的升高而迅速减小;掺杂浓度高于4.1×1019cm-3时,应变系数的非线性较小并出现波动现象,同时纵向应变系数的非线性小于横向应变系数的非线性.利用隧道压阻理论对实验结果进行了分析.结合以前的研究结果可知,适合传感器制作的多晶硅纳米薄膜的优化掺杂浓度应为(2.0~4.1)×1020cm-3,为进一步利用多晶硅纳米薄膜制作传感器提供了非常有价值的参考信息。

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