作者：谢刚,徐渊,张子龙,廉德亮,刘诗琪,王成瑾 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2018年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2018010090 DOC编号：DOCBDTG2018010099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 设计了一种基于SMIC 0.13μm CIS工艺的单光子飞行时间(TOF)传感器像素结构。针对传统单光子雪崩二极管(SPAD)结构的不足，采用p阱和STI共同作为保护环，避免器件提前发生边缘击穿从而减小器件面积，增加深n阱使有源区耗尽层变窄，从而降低雪崩击穿电压，增加硅外延层将器件的光谱响应峰值转移到所需要的光波长，以此提高器件对指定波长光的吸收能力。通过浮动SPAD阳极电压的方式，采用低压CMOS晶体管实现主动式淬灭电路从而快速地控制雪崩电流淬灭，以达到缩短死区时间的目的。通过SILVACO TCAD和Cadence IC设计套件对工艺、像素器件结构以及相关电路进行仿真，验证了该设计的可行性。

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