作者：上官春梅,何巍,张雯,骆飞,祝连庆 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2018年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2018020050 DOC编号：DOCBDTG2018020059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种采用化学腐蚀方法制备光纤Fabry-Perot(F-P)位移传感器的方法。采用浓度为40%的氢氟酸溶液腐蚀处理单模光纤端面，通过电弧放电对光纤端面进行熔接，制作光纤F-P传感器，并通过改变传感腔尾纤的粗糙度对其进行优化。实验中，将制备好的F-P腔结构的尾纤端面做未切平和切平处理，得到的条纹对比度分别为16和8dB。分别对两种情况的光纤F-P传感器的位移特性进行了实验和分析，结果表明：采用化学腐蚀法制作的光纤F-P传感器对位移具有良好的灵敏度和线性拟合优度，尾纤端未切平的F-P的线性拟合优度更好，测量精确度更高，灵敏度可达到0.010 0nm/μm，线性拟合优度为0.999 3。

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