作者：李强,武靖博,李跃,曹妍,满其奎,林新华 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2018年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2018060240 DOC编号：DOCYBJS2018060249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了研究激励电流参数对基波正交磁通门灵敏度的影响，利用钴基合金磁芯和单线圈构建基波正交磁通门。实验结果表明，增加激励电流振幅(Iac)，会改善基波正交磁通门的灵敏度；然而，随着激励电流偏置(Idc)增加，基波正交磁通门灵敏度下降；激励频率对灵敏度影响相对复杂。随着频率的增加，灵敏度呈现先增加后降低的趋势，存在一个最佳频率。该频率大小近似等于基波正交磁通门线圈等效LC电路的谐振频率(fo)。基于旋转磁化理论和等效电路模型对上述实验结果进行了分析。该项研究对优化传感器灵敏度，提高正交磁通门信噪比具有指导作用。

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