《铁氰化钴/树状高分子修饰电极免标记法检测基因突变》PDF+DOC
作者:朱向彬,艾仕云,殷焕顺,时伟杰,刘珍珍
单位:吉林大学
出版:《》
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDXH2009120140
DOC编号:DOCGDXH2009120149
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利用铁氰化钴/树状高分子(CoHCF/PAMAM)复合材料修饰玻碳电极(GCE),制备了免标记检测基因突变的新型DNA电化学传感器.传感器中树状高分子层明显增加了单链DNA探针的固定量,铁氰化钴层增大了鸟嘌呤的氧化信号,该传感器可以灵敏识别单碱基错配的基因序列,具有良好的选择性和灵敏度.在7.6×;10-11~3.05×;10-8mol/L浓度范围内,鸟嘌呤(G)的氧化峰电流差值与突变基因浓度呈良好的线性关系,检出限为1.0×;10-11mol/L(S/N=3)。
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