作者：温银萍,温廷敦 单位：航天科技集团公司九院七七一所 出版：《微电子学与计算机》2009年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXYJ2009030080 DOC编号：DOCWXYJ2009030089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度压阻式硅锗加速度计，采用Si1-xGex/Si结构薄膜作为敏感元件，设计了一个双悬臂梁式的压阻式硅锗加速度计.通过理论分析与仿真计算，得出通过调整对该结构的外加应力可以实现对传感器灵敏度的调节，而且利用介观压阻效应原理可以将压阻式硅微加速度计的灵敏度提高一个数量级的结论.为设计新型压阻式硅微加速度计提供了一种思路。

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