作者：揣荣岩,张大为,孙显龙,刘斌,李新 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2009年第S1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2009S10730 DOC编号：DOCYBJS2009S10739 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性，为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性，对这种薄膜的钝化层结构进行了研究。基于压力传感芯片的结构特点，建立了钝化层结构的有限元分析分析模型，给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系。结果表明：采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构，适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法，为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。

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