作者：张磊,樊祥宁 单位：东南大学 出版：《电子器件》2009年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2009020330 DOC编号：DOCDZQJ2009020339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一种采用SMIC 0.18μm RFCMOS工艺，设计了一种应用于2.4 GHz无线传感器网络SoC芯片的射频发射机上混频器模块电路单元，其中转换增益为-6.3 dB，输入1 dB压缩点为-4.6 dBm。工作电压为1.8 V，功耗为5.4 mW，工作频率范围为2.4~2.483 5 GHz，工作温度范围为-20~+80℃低功耗的上混频器。上混频器芯片的面积为0.56 mm2。

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