《热处理对Ta/Ni_(0.65)Co_(0.35)薄膜微结构和磁电阻性能的影响》PDF+DOC
作者:王立锦,陈连康,郭歌,王云蛟,于亚多,于广华
单位:北京科技大学
出版:《工程科学学报》2009年第03期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBJKD2009030180
DOC编号:DOCBJKD2009030189
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选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加。
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