《高灵敏度的CMOS霍尔磁场传感器芯片设计》PDF+DOC
作者:徐跃
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2009年第12期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2009120060
DOC编号:DOCYBJS2009120069
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以霍尔电压及失调电压的状态为出发点,提出了一种更简单的霍尔信号再生电路设计方案。即采用由传输门、保持电容和电压跟随器构成的采样保持电路实现对混叠信号(包括霍尔信号和失调电压)180°;移相,再经相减电路去除失调电压。后仿真结果表明该芯片工作在2.5~3.3 V电压下,能对0.1 mV的霍尔信号进行1500倍放大并输出CMOS数字信号,可允许的最大失调电压为4 mV。
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