作者：吕辉,刘诗斌 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2015年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2015030250 DOC编号：DOCCGQJ2015030259 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 微型磁通门的功耗是影响其整体性能的关键因素。要降低功耗必须保证器件的薄膜铁芯能够在较小的激励电流下进入饱和状态，为此，可以通过降低铁芯的饱和磁场强度Hs来实现这一目标。设计了一种具有多孔结构薄膜铁芯的微型磁通门，经过有限元仿真分析发现，多孔结构能够降低磁通门铁芯的饱和磁场强度Hs，从而获得较小的饱和激励电流，在保证微型磁通门灵敏度的同时，有效降低器件功耗。

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