作者：刘猛,张大伟,谢品,倪争技,黄元申 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2009年第09期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2009090060 DOC编号：DOCYBJS2009090069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 传统的CCD、COMS等光电成像器件并不响应紫外光，在CCD、CMOS传感器光敏面镀上“紫外—可见”变频薄膜是增强其紫外响应的一种非常有效的方法。Zn2SiO4∶Mn由于粒子直径小，稳定性好，荧光量子效率高等优点，在增强光电器件紫外响应领域有着很广泛的应用前景。实验用“旋涂法”在石英基底上生成Zn2SiO4∶Mn紫外增强薄膜，并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行测量分析。实验测得薄膜在300 nm以下透过率极低，在300 nm以上透过率很高且平稳；对300 nm以下的光具有很强的吸收，对300 nm以上的光吸收很弱且很平稳；激发峰在265 nm，发射峰在525 nm，即能将紫外光转化为可见光。实验结果表明Zn2SiO4∶Mn薄膜是一种适用于增强CCD等图像传感器紫外响应的紫外增强薄膜。

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