作者：赵立波,赵玉龙 单位：中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版：《光学精密工程》2009年第06期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXJM2009060480 DOC编号：DOCGXJM2009060489 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了解决如高温200℃等恶劣环境下的压力测量问题，基于微机电系统(MEMS)和高能氧离子注入(SIMOX)技术，研制了一种量程为0～120kPa的压阻式压力传感器。该传感器芯片由硅基底、薄层二氧化硅、惠斯登电桥结构的硼离子注入层、氮化硅应力匹配层、钛-铂-金梁式引线层和由湿法刻蚀形成的空腔组成。在氧剂量1.4&#215；1018/cm2和注入能量200keV条件下，由高能氧离子注入技术形成厚度为367nm的埋层二氧化硅层，从而将上部测量电路层和硅基底隔离开，解决了漏电流问题，使得传感器芯片可以在高温200 ℃以上的环境下使用。为了提高传感器在宽温度范围内的稳定性，对温度补偿工艺进行了研究，补偿后的传感器灵敏度温度系数和零位温度系数很容易控制在1&#215；10-4/℃.FS。实验标定结果表明：在200 ℃下，研发的耐高温压力传感器具有很好的工作性能，其线性度误差达0.12%FS、重复性误差为0.1%FS、迟滞误差为0.12%FS，精度达0.197%FS，满足油井、风洞、汽车和石化工业等现代工业的应用需求。

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