《CMOS有源集成像素传感器检测高能物理粒子》PDF+DOC
作者:李琰,Yavuz Degerli,姜来,纪震
单位:深圳大学
出版:《深圳大学学报(理工版)》2009年第01期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFSZDL2009010090
DOC编号:DOCSZDL2009010099
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研究适用于下一代国际线性电子对撞机中顶点探测器的CMOS有源集成像素传感器.实验芯片现采用标准0.35μmCMOS工艺设计,像素矩阵为128行×;32列,像素大小为25μm×;25μm,在像素内部实现相关双次采样技术.通过采用放射源55Fe测定,芯片等效输入随机噪声为12个电子,而固定噪声为3个电子.传感器的电荷-电压转换系数达59μV/e-.在170MHz工作主频下,芯片信号处理速度达12μs/帧.芯片模拟部分功耗小于30mW。
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