《多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究》PDF+DOC
作者:李东海,胡明,孙凤云,陈鹏,孙鹏
单位:中国航发北京航空材料研究院
出版:《材料工程》2009年第04期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCLGC2009040180
DOC编号:DOCCLGC2009040189
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以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性。结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×;10-5~6×;10-5)具有优异的敏感特性和响应特性。
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