《厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析》PDF+DOC
作者:张早春,马以武,高理升
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2009年第06期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2009060040
DOC编号:DOCYBJS2009060049
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片》PDF+DOC2014年第12期 揣荣岩,王健,代全,杨理践
《大量程SOI压阻式压力传感器设计》PDF+DOC2015年第07期 张瑞,梁庭,刘雨涛,王心心,王涛龙,熊继军
《硅四端型膜片式压力传感器的优化设计与分析》PDF+DOC1989年第03期 李乃平,刘三清,应建华
《一种新型高精度温度补偿的压力传感器》PDF+DOC1989年第03期 方凯,王荣
《传感器承载环及弹性变形膜片等刚度的有限元分析》PDF+DOC1989年第01期 刘兰荣
《压力传感器的封接原理和工艺》PDF+DOC1988年第04期 庞世信,周成立
《膜片式压力传感器设计中应考虑的问题》PDF+DOC1982年第03期 黄美超
《陶瓷电容式压力传感器的原理分析》PDF+DOC 李彩锋
《压阻式压力传感器性能的研究》PDF+DOC2012年第02期 阎文静,张鉴,高香梅
《ANSYS在高精度压力传感器感压膜片结构分析中的应用》PDF+DOC2011年第06期 黄林静,朱目成
分析了用于PZT形变-力传感-位移量传递模式实时检测的厚膜电容位移传感器的非线性问题,对传感器弹性膜片产生挠性形变以及位移检测带来的非线性问题做了系统的分析并给出了在小挠度形变情况下电容计算公式。仿真结果表明:在电容极板间隙为50μm、膜片厚度为0.55 mm、工作半径为10 mm、膜片中心偏移量为5μm的情况下,与普通极板电容计算公式相比,采用小挠度形变电容计算公式可使位移检测精度提高4.74%。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。