作者： 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2009年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2009040180 DOC编号：DOCCGSJ2009040189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 由日本神户大学的一个研究小组在科学技术振兴机构(JST)最近举行的“JST Innovation Bridge”上公布了一项研究成果。研究人员采用有机强介电体材料偏氟乙烯(VDF)低聚物(Oligomer，低分子物)开发了一种焦热电型红外线传感器，这种材料不含铅且安装在薄膜上可弯曲。实验结果表明，该传感器焦热电率高达2.82，而此前焦热电型红外线传感器材料常使用的锆钛酸铅(PZT)的材料热电率仅为0.32。

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