作者：揣荣岩,郑雁公,刘本伟,王文东,崔林,李新 单位：沈阳工业大学 出版：《沈阳工业大学学报》2009年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSYGY2009050270 DOC编号：DOCSYGY2009050279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为使多晶硅纳米薄膜良好的压阻特性在微机电系统压阻传感器中得到有效应用，在设计牺牲层结构压力传感器芯片中探索性地采用多晶硅纳米薄膜作为应变电阻，并对这种传感器的工艺方法进行了研究.通过对牺牲层材料及结构的分析，给出了传感器的工艺流程，指出其中存在的工艺难点并给出了解决方法.利用牺牲层技术和多晶硅纳米薄膜制做压阻传感器，不但可以提高传感器的灵敏度，还可改善温度特性，而且可与集成电路工艺相兼容。

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