作者:吴永亮,陈国光,孟召丽 单位:北京无线电技术研究所 出版:《电子测量技术》2009年第12期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZCL2009120150 DOC编号:DOCDZCL2009120159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《硅压力传感器振动可靠性试验与评估分析》PDF+DOC2012年第05期 张庆志,鲍爱达,郭涛,孙韬 《压力传感器位移分析及疲劳寿命预测》PDF+DOC2016年第03期 任国晶,蔡春丽,汪大海 《扩散硅压力传感器长期稳定性提升试验方法研究》PDF+DOC2020年第01期 刘帅,杜晓辉,朱敏杰,刘丹,任福琴 《硅压力传感器研究现状》PDF+DOC1999年第06期 王丰 《硅压力传感器的三维微细加工》PDF+DOC1991年第01期 孟涛 《带有补偿电路的互换性硅压力传感器》PDF+DOC1990年第03期 P.Kopystynski,E.Obermeier,林正强 《SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计》PDF+DOC2003年第01期 倪智琪,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 《硅压力传感器的可靠性测试》PDF+DOC2003年第02期 程军 《高精度发动机漏气测定仪的设计》PDF+DOC2002年第05期 高湘玲,林建辉 《基于MAX1452硅压力传感器温度补偿系统的设计》PDF+DOC2010年第04期 刘鹏,杨学友,杨凌辉,李雁斌
  • 通过提高硅压力传感器的高温环境应力,研究制定了其加速寿命试验的设计方案,进行了步进应力加速寿命试验。利用线性回归方法完成了试验数据的统计和分析,应用威布尔分布函数描述其寿命分布并完成了常温应力下的寿命预测。研究结果表明,试验设计方案是正确可行的,硅压力传感器的寿命服从威布尔分布,其加速模型符合阿伦尼斯方程,加速参数的精确计算确保以后在很短的时间内便可估算出在正常应力下的寿命。

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