作者：鲍丙豪 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2009年第09期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2009090150 DOC编号：DOCYQXB2009090159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗(GMI)效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz，密度为35A/mm2，持续时间40s的脉冲电流退火。非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中，推出了气隙中的层叠非晶带受到的导线电流所产生的磁场公式。给出了传感器信号处理电路框图。当磁芯中引入强负反馈磁场时，实验结果表明，新型电流传感器的非线性误差小于0.5%FS，线性量程&#177；7A。

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