作者：范亮,戎蒙恬,李萍,刘文江 单位：黑龙江省信息技术学会 出版：《》 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHDZJ2009110060 DOC编号：DOCHDZJ2009110069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于TSMC0.18μm混合信号CMOS工艺，利用CMOS工艺衬底PNP三极管的发射区-基区PN结作为温度传感单元，构建了两个三极管串联的温度传感电路。通过三极管串联来减小失调电压的影响，通过折叠式共源共栅放大器来提高电路精度，通过增加负反馈电路来提高电路的稳定性。电路的仿真结果显示从-20℃到120℃，温度与VPTAT呈高度线性关系，电路的电源抑制比达到了140dB。

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