作者:王健,揣荣岩,何晓宇,刘伟,张大为 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2009年第09期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2009090040 DOC编号:DOCYBJS2009090049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅纳米薄膜牺牲层压力敏感结构设计》PDF+DOC2010年第02期 揣荣岩,崔林,王健,刘本伟,郑雁公,李新 《油田测井用压力传感器的研制》PDF+DOC2004年第02期 赵毅强,姚素英,张生才,赵红,曲宏伟 《牺牲层结构压力传感器技术》PDF+DOC2009年第05期 揣荣岩,郑雁公,刘本伟,王文东,崔林,李新 《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC2006年第04期 张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英 《基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片》PDF+DOC2014年第12期 揣荣岩,王健,代全,杨理践 《探究压力传感器温度漂移补偿的控制电路设计》PDF+DOC2017年第12期 徐叶松 《多晶硅压力传感器》PDF+DOC1996年第03期 张维新,毛赣如,姚素英,曲宏伟 《超微型硅压阻传感器的设计构想》PDF+DOC1994年第06期 曹洪清 《硅压力传感器芯片的制造方法》PDF+DOC1983年第05期 梁增寿 《压阻传感器原理及应用》PDF+DOC2004年第05期 白旭
  • 多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性。为了使这种良好的压阻特性得到实际应用,文中给出了多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器的设计方法。根据多晶硅纳米薄膜压阻特性和硅杯腐蚀技术条件确定弹性膜片结构,并采用有限元分析方法对弹性膜片尺寸以及应变电阻分布进行了优化。依据优化设计结果试制了压力传感器芯片。实验表明该传感器工艺简单、高温特性好、灵敏度高。

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