作者：林启敬,赵玉龙,蒋庄德,王鑫垚,王伟忠 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2009年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2009040100 DOC编号：DOCBDTQ2009040109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为满足三维微力测量的需求，以MEMS体硅压阻工艺技术为基础，研制了一种基于微探针形式，具有μN级三维微力测量和传感能力的半导体压阻式三维微力硅微集成传感器。传感器采用相互迟滞的4个单端固支硅悬臂梁，支撑中间的与微力学探针结合在一起的质量悬块的结构形式，在4mm&#215；4mm的硅基半导体芯片上用MEMS体硅工艺集成而成。通过ANSYS数值仿真的方法分析了三维硅微力传感器结构的应力特点，解决了三维微力之间的相互干扰问题，并对传感器性能进行了测试。结果表明，其X、Z方向的线性灵敏度分别为0.1682、0.0106mV/μN，最大非线性度分别为0.19%FS和1.1%FS。该传感器具有高灵敏度、高可靠性、小体积、低成本等特点。

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