作者：张庆伟,温廷敦 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2009年第02期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2009020240 DOC编号：DOCCGQJ2009020249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 运用了一种新效应——介观压阻效应，以A lAs/GaAs/A lAs共振隧穿双势垒(DBRT)结构薄膜作为力敏元件，设计了一种压阻式微位移传感器。通过分析、计算和模拟得到了它的输入、输出特性和灵敏度，把它与同类传感器做了比较，结果显示：DBRT结构可以提高灵敏度、调节灵敏度。为设计介观压阻式微位移传感器提供了理论依据。

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