作者：丁澜,马锡英,黄仕华 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2010年第11期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2010110060 DOC编号：DOCBDTQ2010110069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • SiGe纳米环、纳米螺绕环具有优异的电学、力学等性质，已成为非常重要的三维半导体纳米材料，在传感器、纳米电子学及纳机电系统中具有广阔的应用前景。简单介绍了制备SiGe纳米环、纳米螺绕环的方法，包括化学气相沉积法、分子束外延法和脉冲激光法，并介绍了SiGe纳米环形成的主要原因和相关的应用。SiGe纳米环是在Si和Ge间的横向应力作用下形成的，这种纳米环的电导对纳米环的曲率和外加磁场非常敏感。在外加磁场恒定的情况下，电导随曲率的增大而逐渐减小；当达到某一临界点后，又随曲率的增大而逐渐增大。可以应用外加电压控制SiGe纳米环的弯曲程度，成为纳米尖、黏性探头、挂钩和原子力显微镜悬臂梁等应用于纳米传感器、纳米探头及纳米机电系统中。

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