作者:张建碧 单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所 出版:《电子与封装》2009年第10期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDYFZ2009100150 DOC编号:DOCDYFZ2009100159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于MEMS的硅微压阻式加速度传感器的设计》PDF+DOC2009年第10期 张建碧 《压阻式硅微型加速度传感器的研制》PDF+DOC2003年第11期 席占稳 《MEMS高g加速度传感器高过载能力的优化研究》PDF+DOC2011年第07期 石云波,李平,朱正强,刘俊,张晓明 《有限元分析软件在封装结构变形影响中的应用》PDF+DOC2010年第02期 郝永平,卢继奎,杨芳 《高过载低量程测试传感器的选择比较》PDF+DOC2003年第09期 翟成瑞,张文栋 《MEMS面内大量程加速度传感器设计与分析》PDF+DOC2011年第08期 赵锐,石云波,唐军,刘俊 《基于MEMS技术梁膜结合压阻式加速度计的设计》PDF+DOC2009年第S1期 张玲,赵玉龙,蒋庄德,田边 《八梁硅微加速度传感器横向灵敏度的研究》PDF+DOC2008年第01期 范波,熊继军,郭涛,毛海央,王敏 《MEMS压阻式加速度传感器的研究进展》PDF+DOC2008年第04期 范树新,耿振亚,聂丽梅 《基于镜像异质三周期光子晶体介观压光效应的加速度传感器》PDF+DOC2013年第08期 冯瑞婷,李俊漾,温廷敦,许丽萍,李乾利
  • 硅微加速度传感器是MEMS器件中的一个重要分支,具有十分广阔的应用前景。由于硅微加速度传感器具有响应快、灵敏度高、精度高、易于小型化等优点,而且该种传感器在强辐射作用下能正常工作,因而在近年来发展迅速。文章首先对传感器结构及工作原理进行了简单介绍,给出了一种基于MEMS技术制作的压阻式硅微加速度传感器的结构和工艺,并对制作的加速度传感器样品进行了动态测试,测试结果表明与理论设计值基本吻合。

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