作者：陶庆斌,宋贺伦,茹占强,张耀辉 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2016年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2016030060 DOC编号：DOCBDTJ2016030069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对正弦波无刷直流电机中霍尔传感器的开关点高对称性要求，设计了一款采用新型迟滞比较器的霍尔传感器。通过Silvaco TCAD仿真软件确定了霍尔盘的磁灵敏度等参数，并利用4个方形霍尔盘对称布局结构以减小失调电压。相比于传统的施密特触发器，所提出的新型迟滞比较器采用完全镜像的电路结构来保证其开关点的对称及其精确设定。采用CSMC 2μm双极工艺对设计进行流片验证，测试结果表明，该霍尔传感器的工作点和释放点的磁感应强度平均值分别为5.57 m T和-5.60 m T，漂移误差为&#177；1.00 m T，等效失调电压为&#177；0.20 m V，具有较小的漂移误差和失调电压以及稳定的温度特性，满足实际需求，具有良好的应用前景。

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