《磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性》PDF+DOC
作者:肖琦,杨保和,朱珊珊
单位:天津理工大学
出版:《光电子·激光》2010年第09期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDZJ2010090170
DOC编号:DOCGDZJ2010090179
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采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。
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