作者：施云波,胡东升,赵文杰,冯侨华,王立权 单位：哈尔滨商业大学 出版：《哈尔滨商业大学学报(自然科学版)》2010年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHLJS2010030280 DOC编号：DOCHLJS2010030289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以In(NO3)3和Cd(NO3)2为原料，采用Sol-Gel法合成N型CdIn2O4半导体氧化物纳米材料，通过500~800℃退火处理得到4种温度参数的纳米氧化物材料粉体，按照陶瓷半导体气体传感器工艺制成厚膜气敏元件.利用SEM对材料进行形貌表征，和XRD对材料的晶体结构进行分析，材料粒径尺寸在50 nm左右.测试结果表明，600℃退火烧结的纳米材料性能良好，元件在加热电压为3V时性能稳定，加热功耗约为200 mW；在50&#215；10-6时灵敏度为32倍，响应恢复时间分别为90 s和180 s，最低可检测到1&#215；106。

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