《0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应》PDF+DOC
作者:汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,孙静,玛丽娅
单位:中国物理学会发光分会;中科院长春光机所
出版:《发光学报》2015年第02期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFFGXB2015020230
DOC编号:DOCFGXB2015020239
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采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。
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