作者：周万幸 单位：南京电子技术研究所 出版：《现代雷达》2010年第12期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDLD2010120020 DOC编号：DOCXDLD2010120029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 现代战争对雷达性能的要求日益提高，基础材料、工艺和元器件的飞速发展，促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现，使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求，结合宽禁带半导体器件的特点，阐述了该类器件的发展现状，给出了发展趋势及应用展望。

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